1. Germanium, silisium, selen, galliumarsenid og mange metalloksider, metallsulfider og andre gjenstander, hvis ledningsevne er mellom leder og isolator, kalles halvledere. Halvledere har noen spesielle egenskaper. For eksempel kan termistoren (termistoren) for automatisk kontroll lages ved å bruke forholdet mellom resistiviteten og temperaturen til halvlederen; Med sine lysfølsomme egenskaper kan fotosensitive elementer for automatisk kontroll lages, som fotoceller, fotoceller og fotomotstander.
2. Halvledere har også en av de viktigste egenskapene. Hvis en liten mengde urenheter blandes riktig i det rene halvledermaterialet, vil ledningsevnen øke med en million ganger. Denne funksjonen kan brukes til å produsere forskjellige halvlederenheter for forskjellige formål, for eksempel halvlederdioder, trioder, etc.
3. Når den ene siden av en halvleder gjøres til et P-type-område og den andre siden til et N-type-område, dannes et tynt lag med spesielle egenskaper nær krysset, som vanligvis kalles et PN-kryss. Den øvre delen av figuren viser diffusjonen av bærere på begge sider av grensesnittet mellom P-type og N-type halvledere (representert med svarte piler). Midtdelen er dannelsesprosessen til PN-krysset, noe som indikerer at diffusjonseffekten til bæreren er større enn drifteffekten (indikert med den blå pilen, og den røde pilen indikerer retningen til det innebygde elektriske feltet). Den nedre delen er dannelsen av PN-krysset. Indikerer den dynamiske balansen mellom diffusjon og drift.
