Integrert krets er en måte for miniatyrisering av kretser (hovedsakelig inkludert halvlederutstyr, også inkludert passive komponenter, etc.). Ved å bruke en bestemt prosess blir transistorene, motstandene, kondensatorene, induktorene og andre komponenter og ledninger som kreves i en krets sammenkoblet, fremstilt på en liten eller flere små halvlederbrikker eller dielektriske substrater, og deretter innkapslet i et skall for å bli en mikrostruktur med de nødvendige kretsfunksjonene; Alle komponentene har dannet en helhet i strukturen, noe som gjør at de elektroniske komponentene tar et stort steg mot miniatyrisering, lavt strømforbruk, intelligens og høy pålitelighet. [1] Det er en mikro elektronisk enhet eller komponent, som er representert med bokstaven "IC" i kretsen. Oppfinnerne er Jack Kirby (integrert krets basert på germanium (GE)) og Robert neuth (integrert krets basert på silisium (SI)). I dag er de fleste applikasjonene i halvlederindustrien silisiumbaserte integrerte kretser, som er en ny type halvlederenhet utviklet fra slutten av 1950- til 1960-tallet.
Vi bruker informasjonskapsler for å gi deg en bedre nettleseropplevelse, analysere nettstedstrafikk og tilpasse innhold. Ved å bruke denne siden godtar du vår bruk av informasjonskapsler.
Personvernerklæring
