Halvledere har tre hovedegenskaper:
1. Termiske følsomhetsegenskaper
Resistiviteten til halvledere endres betydelig med temperaturen. For eksempel, rent germanium, for hver 10 graders økning i fuktighet, synker dens elektriske resistivitet til 1/2 av den opprinnelige verdien. De subtile endringene i temperatur kan reflekteres i de betydelige endringene i halvlederresistivitet. Ved å utnytte den termiske følsomheten til halvledere, kan temperaturfølende elementer - termistorer - lages for bruk i temperaturmåling og kontrollsystemer.
Det er verdt å merke seg at forskjellige halvlederenheter har termisk følsomhet, noe som påvirker deres stabilitet når omgivelsestemperaturen endres.
2. Lysfølsomme egenskaper
Resistiviteten til halvledere er svært følsom for endringer i lys. Når den er opplyst, er den elektriske resistiviteten svært lav; Når det ikke er lys, er den elektriske resistiviteten høy. For eksempel har den ofte brukte kadmiumsulfid-fotoresistoren en motstand på flere titalls megaohm i fravær av lys, når den utsettes for lys. Motstanden falt plutselig til titusenvis av ohm, og motstandsverdien endret seg tusenvis av ganger. Ved å utnytte de lysfølsomme egenskapene til halvledere produseres ulike typer optoelektroniske enheter, som fotodioder, fototransistorer og silisiumfotoceller. Mye brukt i automatisk kontroll og radioteknologi.
3. Dopingegenskaper
I rene halvledere kan doping av ekstremt små mengder urenheter forårsake en betydelig endring i deres elektriske resistivitet. For eksempel. Doping i ren silisium. Resistiviteten til borelementet, som er mindre enn 214 000 Ω· cm, vil avta til 0,4 Ω· cm, noe som betyr at ledningsevnen til silisium vil øke med mer enn 500 000 ganger. Folk kontrollerer ledningsevnen til halvledere nøyaktig ved å dope visse spesifikke urenheter, og produserer forskjellige typer halvlederenheter. Det kan sies uten overdrivelse at nesten alle halvlederenheter er laget av halvledermaterialer dopet med spesifikke urenheter.
